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高溫柵偏和電子輻照對SiC MOSFET閾值電壓影響研究

電源學(xué)報(bào) 頁數(shù)： 7 2022-07-05
摘要： 為研究柵氧化物在不同老化程度下電子輻照對SiC MOSFET可靠性的影響，結(jié)合高溫柵偏和電子輻照2種實(shí)驗(yàn)對SiC MOSFET電學(xué)特性進(jìn)行分析，討論柵氧化物受到高溫和強(qiáng)電場應(yīng)力后電子輻照對SiC MOSFET閾值電壓的影響。為避免封裝材料在高溫和電子輻照下對閾值電壓產(chǎn)生影響，實(shí)驗(yàn)時將被測器件裸露于空氣中。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，高溫正柵偏后器件閾值電壓對電子輻照更加敏感，因此提出了電子輻... （共7頁）

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