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半導(dǎo)體技術(shù)(2024年12期)
Semiconductor Technology

  • 基本信息
  • 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所

    月刊

    1003-353X

  • 13-1109/TN

    河北省石家莊市

    中文;

    大16開(kāi)

    18-65

    1976

  • 出版信息
  • 信息科技

    無(wú)線電電子學(xué)

    8318篇

  • 1198784次

    28491次

  • 評(píng)價(jià)信息
  • 0.502

    0.352

  • CA 化學(xué)文摘(美)(2020)

    SA 科學(xué)文摘(英)(2020)

    JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)(日)(2018)

    Pж(AJ) 文摘雜志(俄)(2020)

    1992年(第一版),1996年(第二版),2000年版,2004年版,2008年版,2011年版,2014年版,2017年版,2020年版

    Caj-cd規(guī)范獲獎(jiǎng)期刊;

目 錄

  • 基于儲(chǔ)能三電平變流器并聯(lián)短路振蕩的IGBT多參數(shù)優(yōu)化策略
  • 基于靜態(tài)特性優(yōu)化和非線性電容效應(yīng)的IGBT行為模型改進(jìn)
  • 軌道交通用大功率IGBT結(jié)電容退化規(guī)律
  • 一種具備長(zhǎng)期失效短路能力的彈性壓接型IGBT器件
  • 基于生死單元技術(shù)的IGBT芯片焊料層失效演化機(jī)理
  • 壽命分散性對(duì)IGBT器件串聯(lián)壽命評(píng)估的影響
  • 柵極電阻對(duì)SiC MOSFET半橋電路串?dāng)_的影響
  • SiC MOSFET關(guān)鍵動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試技術(shù)研究及特性分析
  • 一種SiC MOSFET有源串?dāng)_抑制驅(qū)動(dòng)電路
  • 一種SiC MOSFET柵氧界面缺陷的POA優(yōu)化工藝
  • 多層PCB互連應(yīng)力測(cè)試技術(shù)及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
  • 《半導(dǎo)體技術(shù)》2024年第49卷總目次
  • “功率半導(dǎo)體器件可靠性和失效分析”??把?/li>
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